由于工藝原因，半導(dǎo)體制造需要一些有機(jī)和無機(jī)物質(zhì)參與，半導(dǎo)體晶片不可避免地會受到各種雜質(zhì)的污染。

  根據(jù)污染物的來源和性質(zhì)，大致可以分為四類：顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物等。

  在不破壞晶圓芯片及其他所用材料的表面特性、熱學(xué)特性和電學(xué)特性的前提下，清洗去除晶圓芯片表面的有害沾污雜質(zhì)物，對半導(dǎo)體器件功能性、可靠性、集成度等顯得尤為重要。在密閉的真空腔體中，通過真空泵不斷抽氣，使得壓力值逐漸變小，真空度不斷提高，分子間的間距被拉大，分子間作用力越來越小，利用等離子發(fā)生器產(chǎn)生的高壓交變電場將Ar、H2、N2、O2、CF4等工藝氣體激發(fā)、震蕩形成具有高反應(yīng)活性或高能量的等離子體，進(jìn)而與有機(jī)污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞形成揮發(fā)性物質(zhì)，由工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)**出去，從而達(dá)到表面清潔、活化、刻蝕等目的。

  等離子清洗并不會破壞被處理的材料或者產(chǎn)品的固有特性，發(fā)生改變的**是表面納米級的厚度，被清洗的材料或產(chǎn)品表面污染物被去除，分子鍵打開后極其微小的結(jié)構(gòu)變化，形成一定的粗糙度或者是在表面產(chǎn)生親水性的官能基，使得金屬焊接的可靠性增強(qiáng)、不同材料之間的結(jié)合力提高等，從而提高產(chǎn)品的信賴度、穩(wěn)定性，延長產(chǎn)品的使用壽命。